Cross-sectional stress distribution in AlxGa1-xN heterostructure on Si(111) substrate characterized by ion beam layer removal method and precession electron diffraction
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Autoren
Organisationseinheiten
Externe Organisationseinheiten
- Infineon Technologies AG Austria, Villach
- AppFive LLC, Tempe, AZ, USA
- TESCAN Brno s.r.o.
- Materials Center Leoben Forschungs GmbH
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 476-481 |
| Seitenumfang | 6 |
| Fachzeitschrift | Materials and Design |
| Jahrgang | 106 |
| DOIs | |
| Status | Veröffentlicht - 2016 |
