Journal of applied physics, 0021-8979
Fachzeitschrift: Zeitschrift
ISSNs | 0021-8979 |
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Publikationen
- 2004
- Veröffentlicht
How do nanoislands induced by ion sputtering evolve during the early stage of growth?
Teichert, C., 2004, in: Journal of applied physics. 96, S. 2244-2248Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1999
- Veröffentlicht
Time Dependent Interface Stability During Rapid Solidification
Ludwig, A. & Sahm, P., 1999, in: Journal of applied physics. S. 3682-3687Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- Veröffentlicht
Transport, optical and electronic properties of the half metal CrO2
Mazin, I. I., Singh, D. J. & Draxl, C., 1999, in: Journal of applied physics. 85, S. 6220-6220Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1997
- Veröffentlicht
A structural and topographical study of low-pressure chemical-vapor-deposited polysilicon by scanning probe microscopy
Pleschinger, A., Lutz, J. & Kuchar, F., 1997, in: Journal of applied physics. 81, S. 6749-6754Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1996
- Veröffentlicht
Grain boundary diffusion through thin films. Application to permeable surfaces
Preis, W. & Sitte, W., 1996, in: Journal of applied physics. 79, S. 2986-2994Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1988
- Veröffentlicht
CONTROL OF CARRIER LIFETIMES IN PBTE DOPING SUPERLATTICES
Bauer, G., Oswald, J., Goltsos, W. & Nurmikko, AV., 1988, in: Journal of applied physics. 63, S. 2179-2181Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1987
- Veröffentlicht
EXPERIMENTAL IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVEL OF SUBSTITUTIONAL MANGANESE IN SILICON
Haider, M., Sitter, H., Czaputa, R., Feichtinger, H. & Oswald, J., 1987, in: Journal of applied physics. 62, S. 3785-3790Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)