Growth of para-hexaphenyl (6P) on silicon oxide by hot wall epitaxy
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Autoren
Organisationseinheiten
Details
| Titel in Übersetzung | Growth of para-hexaphenyl (6P) on silicon oxide by hot wall epitaxy |
|---|---|
| Originalsprache | Englisch |
| Status | Veröffentlicht - 2010 |
| Veranstaltung | In situ characterization of near-surface processes - Eisenerz, Österreich Dauer: 30 Mai 2010 → 3 Juni 2010 |
Konferenz
| Konferenz | In situ characterization of near-surface processes |
|---|---|
| Land/Gebiet | Österreich |
| Ort | Eisenerz |
| Zeitraum | 30/05/10 → 3/06/10 |
