C-AFM and KPFM approach to investigate the electrical properties of single grain boundaries in ZnO varistor devices

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Autoren

Titel in Übersetzung	C-AFM and KPFM approach to investigate the electrical properties of single grain boundaries in ZnO varistor devices
Originalsprache	Englisch
Titel	Oxide-based Materials and Devices IV
Seiten	862618-1- 862618-8
DOIs	https://doi.org/10.1117/12.2013532
Status	Veröffentlicht - 2013