C-AFM and KPFM approach to inverstigate the electrical properties of single grain boundaries in ZnO varistor devices
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| Titel in Übersetzung | C-AFM and KPFM approach to inverstigate the electrical properties of single grain boundaries in ZnO varistor devices |
|---|---|
| Originalsprache | Englisch |
| Titel | Proc. of SPIE, Oxide-based Materials and Devices IV |
| Seiten | 1-10 |
| DOIs | |
| Status | Veröffentlicht - 2013 |
