Aluminum oxide for an effective Schottky gate in Si / SiGe two
Publikationen: Konferenzbeitrag › Poster › Forschung › (peer-reviewed)
Autoren
Organisationseinheiten
Details
| Titel in Übersetzung | Aluminum oxide for an effective Schottky gate in Si / SiGe two |
|---|---|
| Originalsprache | Englisch |
| Status | Veröffentlicht - 2010 |
| Veranstaltung | 30th International Conference on the Physics of Semiconductors - Seoul, Südkorea Dauer: 25 Juli 2010 → 30 Juli 2010 |
Konferenz
| Konferenz | 30th International Conference on the Physics of Semiconductors |
|---|---|
| Kurztitel | ICPS 2010 |
| Land/Gebiet | Südkorea |
| Ort | Seoul |
| Zeitraum | 25/07/10 → 30/07/10 |
