Growth of para-hexaphenyl (p6P) on SiO2 by hot wall epitaxy
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Details
Titel in Übersetzung | Growth of para-hexaphenyl (p6P) on SiO2 by hot wall epitaxy |
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Originalsprache | Deutsch |
Status | Veröffentlicht - 2010 |
Veranstaltung | DPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM) - Regensburg, Deutschland Dauer: 21 März 2010 → 26 März 2010 |
Konferenz
Konferenz | DPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM) |
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Land/Gebiet | Deutschland |
Ort | Regensburg |
Zeitraum | 21/03/10 → 26/03/10 |