Effect of Ge nanoislandson lateral photoconductivity of Ge-SiOx-Si structures
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Details
Titel in Übersetzung | Effect of Ge nanoislandson lateral photoconductivity of Ge-SiOx-Si structures |
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Originalsprache | Englisch |
Titel | Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices |
Untertitel | selected, peer reviewed papers from the 6th International Workshop on Semiconductor-on-Insulator Materials and Devices, 24 - 28 October, 2010 Kyiv, Ukraine |
Seiten | 179-186 |
DOIs | |
Status | Veröffentlicht - 2011 |
Publikationsreihe
Name | Advanced materials research |
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Band | 276 |
ISSN (Print) | 1662-8985 |