Teilchenkontrolliertes Kornwachstum in γ-TiAl Hochtemperaturlegierungen für die Additive Fertigung
Research output: Thesis › Master's Thesis
Standard
2019.
Research output: Thesis › Master's Thesis
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Vancouver
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TY - THES
T1 - Teilchenkontrolliertes Kornwachstum in γ-TiAl Hochtemperaturlegierungen für die Additive Fertigung
AU - Graf, Gloria
N1 - gesperrt bis 28-05-2024
PY - 2019
Y1 - 2019
N2 - In γ-TiAl Legierungen weist ein volllamellares Gefüge im Vergleich zu anderen Gefügetypen eine verbesserte Kriechbeständigkeit auf. Um ein volllamellares Gefüge einstellen zu können, ist eine Wärmebehandlung im α-Einphasengebiet notwendig. Dabei kann es zu starkem Kornwachstum kommen, wodurch ein grobes Gefüge mit geringer Duktilität entstehen kann. Ausscheidungen können jedoch das Kornwachstum während der Wärmebehandlung eindämmen, was zu einer feineren Korngröße und somit zu einer verbesserten Duktilität führt. In dieser Arbeit wird daher der Einfluss von Ausscheidungen auf das Kornwachstum in einer additiv gefertigten Ti-Al-Nb-W-Si-C-Zr-B γ-TiAl Legierung untersucht. Zunächst konnten ζ-Ti5Si3 Silizide bereits mittels Röntgendiffraktometer (XRD) und Rasterelektronenmikroskop (REM) Untersuchungen im Pulver der genannten Legierung und zwei weiteren, leicht modifizierten Legierungen nachgewiesen werden. Des Weiteren wurden mit dem additiven Fertigungsverfahren des Elektronenstrahlschmelzens (EBM) Proben erzeugt, welche zwischen 1320 °C und 1400 °C bei unterschiedlichen Haltezeiten wärmebehandelt wurden. Aufgrund des EBM-Prozesses entsteht zu Beginn der Wärmebehandlung ein Gefüge mit einer bimodalen Korngrößenverteilung. Bei geringen Haltezeiten treten dadurch normales und abnormales Kornwachstum als konkurrierende Prozesse auf bis eine unimodale Korngrößenverteilung eingestellt ist, wobei diese Prozesse stark durch die vorhandenen Ausscheidungen beeinflusst werden. Bei längeren Glühzeiten wird die Korngrößenverteilung unimodal und das Kornwachstum kann normal erfolgen. Karbide sind bei längeren Glühzeiten vollständig aufgelöst und nur die verbleibenden Silizide und Boride unterdrücken dann das Kornwachstum. Mithilfe von Atomsonden Untersuchungen konnte nachgewiesen werden, dass es sich bei diesen Siliziden um (Ti,Nb,Zr)5(Si,Al)3 Silizide handelt, welche außerdem eine erhöhte Löslichkeit für Zr, Nb, B und C aufweisen. Atomsonden Untersuchungen an volllamellaren Proben zeigten zusätzlich, dass die Legierungselemente W, Si und C bevorzugt in der α2-Phase gelöst sind. Im Gegensatz dazu wird das Legierungselement Zr bevorzugt in der γ-Phase gelöst. Die Elemente Si, C und Zr zeigen eine starke Präferenz für die jeweilige Phase, in welcher sie sich stärker lösen. Dies führt zu einer gehemmten Umwandlungskinetik und kann in weiterer Folge die α2/γ-Lamellen verfeinern und gegen eine Vergröberung stabilisieren, was zu einer verbesserten Kriechbeständigkeit führt. Verursachen die Elemente in den jeweiligen Phasen eine Mischkristallverfestigung, trägt dies zusätzlich zu einer erhöhten Kriechbeständigkeit bei.
AB - In γ-TiAl Legierungen weist ein volllamellares Gefüge im Vergleich zu anderen Gefügetypen eine verbesserte Kriechbeständigkeit auf. Um ein volllamellares Gefüge einstellen zu können, ist eine Wärmebehandlung im α-Einphasengebiet notwendig. Dabei kann es zu starkem Kornwachstum kommen, wodurch ein grobes Gefüge mit geringer Duktilität entstehen kann. Ausscheidungen können jedoch das Kornwachstum während der Wärmebehandlung eindämmen, was zu einer feineren Korngröße und somit zu einer verbesserten Duktilität führt. In dieser Arbeit wird daher der Einfluss von Ausscheidungen auf das Kornwachstum in einer additiv gefertigten Ti-Al-Nb-W-Si-C-Zr-B γ-TiAl Legierung untersucht. Zunächst konnten ζ-Ti5Si3 Silizide bereits mittels Röntgendiffraktometer (XRD) und Rasterelektronenmikroskop (REM) Untersuchungen im Pulver der genannten Legierung und zwei weiteren, leicht modifizierten Legierungen nachgewiesen werden. Des Weiteren wurden mit dem additiven Fertigungsverfahren des Elektronenstrahlschmelzens (EBM) Proben erzeugt, welche zwischen 1320 °C und 1400 °C bei unterschiedlichen Haltezeiten wärmebehandelt wurden. Aufgrund des EBM-Prozesses entsteht zu Beginn der Wärmebehandlung ein Gefüge mit einer bimodalen Korngrößenverteilung. Bei geringen Haltezeiten treten dadurch normales und abnormales Kornwachstum als konkurrierende Prozesse auf bis eine unimodale Korngrößenverteilung eingestellt ist, wobei diese Prozesse stark durch die vorhandenen Ausscheidungen beeinflusst werden. Bei längeren Glühzeiten wird die Korngrößenverteilung unimodal und das Kornwachstum kann normal erfolgen. Karbide sind bei längeren Glühzeiten vollständig aufgelöst und nur die verbleibenden Silizide und Boride unterdrücken dann das Kornwachstum. Mithilfe von Atomsonden Untersuchungen konnte nachgewiesen werden, dass es sich bei diesen Siliziden um (Ti,Nb,Zr)5(Si,Al)3 Silizide handelt, welche außerdem eine erhöhte Löslichkeit für Zr, Nb, B und C aufweisen. Atomsonden Untersuchungen an volllamellaren Proben zeigten zusätzlich, dass die Legierungselemente W, Si und C bevorzugt in der α2-Phase gelöst sind. Im Gegensatz dazu wird das Legierungselement Zr bevorzugt in der γ-Phase gelöst. Die Elemente Si, C und Zr zeigen eine starke Präferenz für die jeweilige Phase, in welcher sie sich stärker lösen. Dies führt zu einer gehemmten Umwandlungskinetik und kann in weiterer Folge die α2/γ-Lamellen verfeinern und gegen eine Vergröberung stabilisieren, was zu einer verbesserten Kriechbeständigkeit führt. Verursachen die Elemente in den jeweiligen Phasen eine Mischkristallverfestigung, trägt dies zusätzlich zu einer erhöhten Kriechbeständigkeit bei.
KW - Additive Manufacturing
KW - Electron Beam Melting (EBM)
KW - powder
KW - titanium aluminide
KW - TiAl
KW - grain growth
KW - abnormal grain growth
KW - normal grain growth
KW - silicides
KW - carbides
KW - precipitations
KW - atom probe tomography (APT)
KW - Zr
KW - Si
KW - C
KW - Additive Fertigung
KW - Elektronenstrahlschmelzen (EBM)
KW - Pulver
KW - Titanaluminide
KW - TiAl
KW - Kornwachstum
KW - abnormales Kornwachstum
KW - normales Kornwachstum
KW - Silizide
KW - Karbide
KW - Ausscheidungen
KW - Atomsonde (APT)
KW - Zr
KW - Si
KW - C
M3 - Masterarbeit
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