TY - PAT

T1 - UMRICHTER FÜR EIN WECHSELSTROMNETZ

AU - Makoschitz, Markus

PY - 2021/4/14

Y1 - 2021/4/14

N2 - Die Erfindung betrifft einen Umrichter für ein, insbesondere mehrphasiges, Wechselstromnetz mit einer Anzahl von Transistor-Halbbrücken oder Multilevel-Schaltungen (H1, H2, H3), die mit ihren Enden oder Anschlüssen jeweils an einer Zwischenkreisspannung einer Zwischenkreisstabilisationsschaltung (Z) anliegen und deren Mittelpunkt oder Ausgang an die jeweilige Phase angeschlossen ist,- wobei der Umrichter eine Steuereinheit aufweist, die die einzelnen Transistoren der Transistor-Halbbrücken oder Multilevel-Schaltungen (H1, H2, H3) nach vorgegebenen Kriterien, insbesondere aufgrund gemessener Ströme und Spannungen, ansteuert, sodass sich im Mittelpunkt der Halbbrücke oder am Ausgang der Multilevel-Schaltung (H1, H2, H3) ein Spannungsverlauf ergibt, der an einen Wechselspannungsverlauf angenähert ist, und- wobei für jeden der Transistoren zumindest einer der Halbbrücken oder zumindest einer der Multilevel-Schaltungen (H1, H2, H3) jeweils ein weiterer Transistor vorgesehen ist, der jeweils parallel zu diesem Transistor geschaltet ist, wobei der weitere Transistor eine für eine nominelle Strombelastung ausgelegt ist, die unterhalb der nominellen Strombelastung des Transistors, insbesondere unterhalb von 20% der nominellen Strombelastung des Transistors, liegt, unddadurch gekennzeichnet,- dass eine Strom- oder Leistungsmesseinrichtung zur Messung des oder der vom Umrichter übertragenen Strom oder Leistung vorgesehen ist, die der Steuereinheit vorgeschaltet ist und die der Steuereinheit einen Strom- oder Leistungsmesswert zuführt,- dass die Steuereinheit für den Fall, dass die vom Umrichter zu übertragene Sollleistung oder der durch den Umrichter fließende Strom einen vorgegebenen Schwellenwert unterschreitet, die weiteren Transistoren anstelle der zu ihnen parallel geschalteten Transistoren ansteuert.

AB - Die Erfindung betrifft einen Umrichter für ein, insbesondere mehrphasiges, Wechselstromnetz mit einer Anzahl von Transistor-Halbbrücken oder Multilevel-Schaltungen (H1, H2, H3), die mit ihren Enden oder Anschlüssen jeweils an einer Zwischenkreisspannung einer Zwischenkreisstabilisationsschaltung (Z) anliegen und deren Mittelpunkt oder Ausgang an die jeweilige Phase angeschlossen ist,- wobei der Umrichter eine Steuereinheit aufweist, die die einzelnen Transistoren der Transistor-Halbbrücken oder Multilevel-Schaltungen (H1, H2, H3) nach vorgegebenen Kriterien, insbesondere aufgrund gemessener Ströme und Spannungen, ansteuert, sodass sich im Mittelpunkt der Halbbrücke oder am Ausgang der Multilevel-Schaltung (H1, H2, H3) ein Spannungsverlauf ergibt, der an einen Wechselspannungsverlauf angenähert ist, und- wobei für jeden der Transistoren zumindest einer der Halbbrücken oder zumindest einer der Multilevel-Schaltungen (H1, H2, H3) jeweils ein weiterer Transistor vorgesehen ist, der jeweils parallel zu diesem Transistor geschaltet ist, wobei der weitere Transistor eine für eine nominelle Strombelastung ausgelegt ist, die unterhalb der nominellen Strombelastung des Transistors, insbesondere unterhalb von 20% der nominellen Strombelastung des Transistors, liegt, unddadurch gekennzeichnet,- dass eine Strom- oder Leistungsmesseinrichtung zur Messung des oder der vom Umrichter übertragenen Strom oder Leistung vorgesehen ist, die der Steuereinheit vorgeschaltet ist und die der Steuereinheit einen Strom- oder Leistungsmesswert zuführt,- dass die Steuereinheit für den Fall, dass die vom Umrichter zu übertragene Sollleistung oder der durch den Umrichter fließende Strom einen vorgegebenen Schwellenwert unterschreitet, die weiteren Transistoren anstelle der zu ihnen parallel geschalteten Transistoren ansteuert.

M3 - Patentschrift

M1 - EP3806314

ER -