Publikationen

  1. Veröffentlicht

    Size scaling of the exchange interaction in the quantum Hall effect regime

    Werner, D. & Oswald, J., 30 Dez. 2020, in: Physical Review B. 102.2020, 23, 6 S., 235305.

    Publikationen: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschung(peer-reviewed)

  2. Veröffentlicht

    Edge versus bulk current in the quantum Hall effect regime

    Uiberacker, C. & Oswald, J., 2008.

    Publikationen: KonferenzbeitragPosterForschung(peer-reviewed)

  3. Veröffentlicht

    Size-dependence of transport in Integer Quantum Hall systems

    Uiberacker, C., Oswald, J. & Römer, R., 2008.

    Publikationen: KonferenzbeitragPosterForschung(peer-reviewed)

  4. Veröffentlicht

    Influence of the metallic contacts on the transport in Integer Quantum Hall systems

    Uiberacker, C., Oswald, J. & Stecher, C., 2008.

    Publikationen: KonferenzbeitragPosterForschung(peer-reviewed)

  5. Veröffentlicht

    Systematic study of nonideal contacts in integer quantum Hall systems

    Uiberacker, C., Stecher, C. & Oswald, J., 2009, in: Physical review : B, Condensed matter and materials physics. 80, S. 235331-1- 235331-11

    Publikationen: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschung(peer-reviewed)

  6. Veröffentlicht

    Microscopic details of the integer quantum Hall effect in an anti-Hall

    Uiberacker, C., Stecher, C. & Oswald, J., 2012, in: Physical review : B, Condensed matter and materials physics. 86, S. 1-7

    Publikationen: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschung(peer-reviewed)

  7. Veröffentlicht

    The effect of gating in samples of Anti-Hall bars within a Hall bar

    Uiberacker, C., Stecher, C. & Oswald, J., 2010.

    Publikationen: KonferenzbeitragPosterForschung(peer-reviewed)

  8. Veröffentlicht

    Pattern formation in PbTe multilayer films

    Teichert, C., Jamnig, B. D. & Oswald, J., 2000, in: Surface Science. S. 823-826

    Publikationen: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschung(peer-reviewed)

  9. Veröffentlicht

    Design and modelling of PbTe wide quantum wells based on the n-i-p-i- concept

    Span, G., Ganitzer, P., Heigl, G., Homer, A. & Oswald, J., 1996.

    Publikationen: KonferenzbeitragPosterForschung(peer-reviewed)

  10. Veröffentlicht

    Defect induced shortening of excess carrier lifetime in single period nipi structures

    Span, G., Oswald, J. & Heigl, G., 1998, in: Materials science and technology. 14, S. 1307-1313

    Publikationen: Beitrag in FachzeitschriftArtikelForschung(peer-reviewed)

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