Josef Oswald
(Ehemalig)
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Publikationen
- 1988
- Veröffentlicht
Control of carrier lifetimes in PbTe nipi superlattices by external photo injection
Oswald, J., Bauer, G., Goltsos, W. & Nurmikko, AV., 1988, in: Superlattices and microstructures. 4, S. 159-165Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1987
- Veröffentlicht
EXPERIMENTAL IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVEL OF SUBSTITUTIONAL MANGANESE IN SILICON
Haider, M., Sitter, H., Czaputa, R., Feichtinger, H. & Oswald, J., 1987, in: Journal of applied physics. 62, S. 3785-3790Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- Veröffentlicht
OBSERVATION OF ELECTRONIC SUBBANDS IN PBTE NIPI STRUCTURES
Pichler, P., Clemens, H., Krenn, H., Oswald, J., Bauer, G. & von Orthenberg, M., 1987, in: Superlattices and microstructures. 3, S. 225-229Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1985
- Veröffentlicht
ENERGY-LEVEL OF THE 0 TO + CHARGE TRANSITION OF SUBSTITUTIONAL MANGANESE IN SILICON
Czaputa, R., Feichtinger, H., Oswald, J., Sitter, H. & Haider, M., 1985, in: Physical review letters. 55, S. 758-760Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1984
- Veröffentlicht
A USEFUL METHOD TO IMPROVE CONVERGENCE IN LEAST-SQUARES FITTING PROCEDURES
Oswald, J., Feichtinger, H. & Czaputa, R., 1984, in: Physica status solidi / A. 81, S. 343-351Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
- 1983
- Veröffentlicht
ENERGY-LEVELS OF INTERSTITIAL MANGANESE IN SILICON
Czaputa, R., Feichtinger, H. & Oswald, J., 1983, in: Solid state communications. 47, S. 223-226Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)
