Entwicklung von Hartstoffschichten auf Chrom-Basis mit Hilfe der Pulsed Laser Deposition

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title = "Entwicklung von Hartstoffschichten auf Chrom-Basis mit Hilfe der Pulsed Laser Deposition",
abstract = "In Chrom (Cr) und Chromnitrid (CrNx) Schichten, die mit physikalischen Abscheideverfahren {\"u}ber die Dampfphase (PVD) (z.B. Sputtern, Lichtbogenverdampfen) hergestellt werden, tritt gew{\"o}hnlich Sauerstoff als Verunreinigung auf. Die vorliegende Arbeit zeigt, dass die hochenergetisch gepulsten Plasmazust{\"a}nde bei der Pulsed Laser Deposition (PLD) den Einbau von Sauerstoff in den Cr und CrNx Schichten beg{\"u}nstigen und einen starken Einfluss auf die Mikrostruktur der Schichten aus{\"u}ben. Cr-Basis Schichten wurden mit einem 4-Strahl PLD-System bei Raumtemperatur unter Verwendung eines Nd:YAG-Lasers (Wellenl{\"a}nge: 1064nm) mit einem Cr-Target in N2/Ar Atmosph{\"a}re abgeschieden. Die Abnahme des mittleren O2 Gehaltes in den Schichten mit gr{\"o}{\ss}erer Dicke zeigt, dass der Sauerstoff aus der Restgasatmosph{\"a}re nach der Evakuierung auf einen Druck von unter 0.002 Pa aufgenommen wird. Reine Cr Schichten, die in Ar reicher Atmosph{\"a}re abgeschieden wurden, zeigen ein sehr feines Korn. Die alpha-Cr Phase besitzt ein aufgeweitetes Kristallgitter, das auf den Einbau von O Atomen auf den Gitterpl{\"a}tzen der Cr Atome zur{\"u}ck zuf{\"u}hren ist. Im Gegensatz dazu tritt bei hohem N2 Gehalt in der Abscheidungsatmosph{\"a}re eine Mischung aus kubisch fl{\"a}chenzentriertem CrN und rhomboedrischem Cr2O3 auf.",
keywords = "PVD PLD Chromnitrid Hartstoffschichten Pulsed Laser Deposition Physical Vapour Deposition CrN, PVD PLD Chromnitride hard coatings CrN Physical Vapour Deposition Pulsed Laser Deposition",
author = "Gerald Bachler",
note = "gesperrt bis null",
year = "2006",
language = "Deutsch",
type = "Diploma Thesis",

}

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TY - THES

T1 - Entwicklung von Hartstoffschichten auf Chrom-Basis mit Hilfe der Pulsed Laser Deposition

AU - Bachler, Gerald

N1 - gesperrt bis null

PY - 2006

Y1 - 2006

N2 - In Chrom (Cr) und Chromnitrid (CrNx) Schichten, die mit physikalischen Abscheideverfahren über die Dampfphase (PVD) (z.B. Sputtern, Lichtbogenverdampfen) hergestellt werden, tritt gewöhnlich Sauerstoff als Verunreinigung auf. Die vorliegende Arbeit zeigt, dass die hochenergetisch gepulsten Plasmazustände bei der Pulsed Laser Deposition (PLD) den Einbau von Sauerstoff in den Cr und CrNx Schichten begünstigen und einen starken Einfluss auf die Mikrostruktur der Schichten ausüben. Cr-Basis Schichten wurden mit einem 4-Strahl PLD-System bei Raumtemperatur unter Verwendung eines Nd:YAG-Lasers (Wellenlänge: 1064nm) mit einem Cr-Target in N2/Ar Atmosphäre abgeschieden. Die Abnahme des mittleren O2 Gehaltes in den Schichten mit größerer Dicke zeigt, dass der Sauerstoff aus der Restgasatmosphäre nach der Evakuierung auf einen Druck von unter 0.002 Pa aufgenommen wird. Reine Cr Schichten, die in Ar reicher Atmosphäre abgeschieden wurden, zeigen ein sehr feines Korn. Die alpha-Cr Phase besitzt ein aufgeweitetes Kristallgitter, das auf den Einbau von O Atomen auf den Gitterplätzen der Cr Atome zurück zuführen ist. Im Gegensatz dazu tritt bei hohem N2 Gehalt in der Abscheidungsatmosphäre eine Mischung aus kubisch flächenzentriertem CrN und rhomboedrischem Cr2O3 auf.

AB - In Chrom (Cr) und Chromnitrid (CrNx) Schichten, die mit physikalischen Abscheideverfahren über die Dampfphase (PVD) (z.B. Sputtern, Lichtbogenverdampfen) hergestellt werden, tritt gewöhnlich Sauerstoff als Verunreinigung auf. Die vorliegende Arbeit zeigt, dass die hochenergetisch gepulsten Plasmazustände bei der Pulsed Laser Deposition (PLD) den Einbau von Sauerstoff in den Cr und CrNx Schichten begünstigen und einen starken Einfluss auf die Mikrostruktur der Schichten ausüben. Cr-Basis Schichten wurden mit einem 4-Strahl PLD-System bei Raumtemperatur unter Verwendung eines Nd:YAG-Lasers (Wellenlänge: 1064nm) mit einem Cr-Target in N2/Ar Atmosphäre abgeschieden. Die Abnahme des mittleren O2 Gehaltes in den Schichten mit größerer Dicke zeigt, dass der Sauerstoff aus der Restgasatmosphäre nach der Evakuierung auf einen Druck von unter 0.002 Pa aufgenommen wird. Reine Cr Schichten, die in Ar reicher Atmosphäre abgeschieden wurden, zeigen ein sehr feines Korn. Die alpha-Cr Phase besitzt ein aufgeweitetes Kristallgitter, das auf den Einbau von O Atomen auf den Gitterplätzen der Cr Atome zurück zuführen ist. Im Gegensatz dazu tritt bei hohem N2 Gehalt in der Abscheidungsatmosphäre eine Mischung aus kubisch flächenzentriertem CrN und rhomboedrischem Cr2O3 auf.

KW - PVD PLD Chromnitrid Hartstoffschichten Pulsed Laser Deposition Physical Vapour Deposition CrN

KW - PVD PLD Chromnitride hard coatings CrN Physical Vapour Deposition Pulsed Laser Deposition

M3 - Diplomarbeit

ER -