Aufgrund des Abbildungsprinzips, erlaubt die Rasterkraftmikroskopie (AFM) die quantitative morphologische Charakterisierung von Oberflächennanostrukturen. Mit einer leitfähigen Sonde ist auch die Untersuchung von elektrischen Eigenschaften auf der Nanometerskala möglich. Hier wird die erste Fähigkeit des AFM zur Messung von Halbleiternanostäben benutzt, während die Leitfähigkeits-Rasterkraftmikroskopie (C-AFM) zur Untersuchung piezoelektrischer Keramik eingesetzt wird. Halbleiternanostäbe versprechen Anwendungen auf den Gebieten photonischer Bauelemente und Sensoren. Deshalb ist es notwendig, ihre Position, Richtung und Form zu kontrollieren. Für senkrechstehende ZnO-Nanostäben wurden topographische Daten über 3D Form, Durchmesser und Höhenabweichungen erhalten, und eine Übergangsfacette zwischen der (0001) Abdeckung und der senkrechten {10-10}-Randfacetten wurde gefunden. Für - auf Si(111) gewachsene - Si-Nanostäbe, konnte die Facettenfolge der Seitenflächen in Einklang mit Transmissionselektronenmikroskopiemessungen bestimmt werden. Piezoelektrische Aktoren haben vielfältige Anwendungen. Um die Bauteilleistungen zu verbessern, sind detaillierte Untersuchungen der Grenzfläche zwischen Metallelektrode und Keramikmatrix erforderlich. C-AFM wurde für die Untersuchung der lokalen elektrischen Leitfähigkeit auf Querschnittsproben benutzt. Die Ergebnisse demonstrieren das Potential der C-AFM Technik für lateral hochaufgelöste elektrische Untersuchungen von PZT-Keramik.