Durch Ausnutzung von Selbstorganisationsmechanismen bei der Silizium-Germanium/Si(001)-Heteroepitaxie und dem Ionenbeschuss von Halbleiteroberflächen wurden ohne aufwändige, serielle Strukturierung großflächig regelmäßige Anordnungen von Nanostrukturen erzeugt, die mittels Rasterkraftmikroskopie (AFM) charakterisiert wurden. Neben nanofacettierten SiGe-Strukturen konnten durch Edelgasionenbeschuss von Si(001)-Oberflächen Nanostrukturen mit Durchmessern von nur 30 nm und Höhen bis zu 3,5 nm hergestellt werden. Die selbstorganisierten Halbleitersubstrate wurden als Template eingesetzt, um darauf magnetische Schichten so abzuscheiden, dass sich Anordnungen isolierter Nanomagnete ergeben. Mittels Schrägbedampfung von Co auf {113} facettierten SiGe-Templaten konnten regelmäßig angeordnete und 200 nm x 100 nm große Nanomagnete erzeugt werden. Diese wurden mittels XPEEM-XMCD (Röntgen-Photoemissions-Elektronenmikroskop mit Auswertung des magnetischen Röntgenzirkulardichroismus) detektiert. Durch Schrägbedampfung von ionenbeschossenen GaSb-Oberflächen konnten Nanomagnete mit lateraler Ausdehnung von 50 nm hergestellt und mittels Magnetkraftmikroskopie (MFM) charakterisiert werden. Die mögliche resultierende Speicherdichte beträgt 0,2 Tbit/Quadratzoll. Die erfolgreiche Anwendung der Schrägbedampfungstechnik auf selbstorganisierten Halbleitersubstraten kann als Grundlage für die Entwicklung von Speicheranwendungen mit sehr hoher Dichte dienen.