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  1. 1988
  2. Veröffentlicht

    CONTROL OF CARRIER LIFETIMES IN PBTE DOPING SUPERLATTICES

    Bauer, G., Oswald, J., Goltsos, W. & Nurmikko, AV., 1988, in: Journal of applied physics. 63, S. 2179-2181

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  3. Veröffentlicht

    Control of carrier lifetimes in PbTe nipi superlattices by external photo injection

    Oswald, J., Bauer, G., Goltsos, W. & Nurmikko, AV., 1988, in: Superlattices and microstructures. 4, S. 159-165

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  4. 1987
  5. Veröffentlicht

    EXPERIMENTAL IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVEL OF SUBSTITUTIONAL MANGANESE IN SILICON

    Haider, M., Sitter, H., Czaputa, R., Feichtinger, H. & Oswald, J., 1987, in: Journal of applied physics. 62, S. 3785-3790

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  6. Veröffentlicht

    OBSERVATION OF ELECTRONIC SUBBANDS IN PBTE NIPI STRUCTURES

    Pichler, P., Clemens, H., Krenn, H., Oswald, J., Bauer, G. & von Orthenberg, M., 1987, in: Superlattices and microstructures. 3, S. 225-229

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  7. 1985
  8. Veröffentlicht

    ENERGY-LEVEL OF THE 0 TO + CHARGE TRANSITION OF SUBSTITUTIONAL MANGANESE IN SILICON

    Czaputa, R., Feichtinger, H., Oswald, J., Sitter, H. & Haider, M., 1985, in: Physical review letters. 55, S. 758-760

    Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)

  9. 1984
  10. Veröffentlicht

    A USEFUL METHOD TO IMPROVE CONVERGENCE IN LEAST-SQUARES FITTING PROCEDURES

    Oswald, J., Feichtinger, H. & Czaputa, R., 1984, in: Physica status solidi / A. 81, S. 343-351

    Publikationen: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Forschung › (peer-reviewed)

  11. 1983
  12. Veröffentlicht

    ENERGY-LEVELS OF INTERSTITIAL MANGANESE IN SILICON

    Czaputa, R., Feichtinger, H. & Oswald, J., 1983, in: Solid state communications. 47, S. 223-226

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