In dieser Masterarbeit wurden zwei verschiedene Methoden um die atomaren Modelle der planaren Fehler in gamma-TiAl zu implementieren angewandt. Die generalisierte Stapelfehlerenergie für stöchiometrisches TiAl wurde mit Hilfe der Dichtefunktionaltherorie und Molekulardynamik mit den entsprechenden Codes VASP und LAMMPS berechnet. Verschiedene Energieprofile, welche zu verschiedenen Versetzungsaufspaltungen gehören, wurden behandelt. Des Weiteren wurde der Einfluss von verschiedenen Relaxations-Methoden, variierten Einheitszellvolumen und verschiedenen Austausch-Korrelationspotentialen auf die Stapelfehlerenergie untersucht. Ein einfaches Modell zur Untersuchung des Einflusses von Legierungselementen wurde implementiert. Die herausragendsten Ergebnisse sind, dass die Stapelfehlerenergien von der gewählten Relaxationsart abhängen, aufgrund der Tatsache, dass deren wirkliche Energieminima nicht an den Kugelmodell-Positionen liegen, und das Verhältnis (Ti+X)/Al einen großen Einfluss auf sie hat. Für (Ti+X)/Al-Verhältnisse größer als 1 wurden generell kleinere Stapelfehlerenergien gefunden.