Morphological characterization of semi-crystalline POM using nanoindentation

Christöfl, P., Czibula, C., Seidlhofer, T., Berer, M., Macher, A., Helfer, E., Schrank, T., Oreski, G., Teichert, C. & Pinter, G., 2021, in: International journal of polymer analysis and characterization. 26.2021, 8, S. 692-706 15 S.

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Nanoindentation for Fast Investigation of PET Film Degradation

Christöfl, P., Ottersböck, B., Czibula, C., Macher, A., Teichert, C., Pinter, G. G. & Oreski, G., 20 Apr. 2022, in: JOM. 74.2022, 6, S. 2287-2294 8 S.

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Evaluation of the CO2 Storage Capacity in Sandstone Formations from the Southeast Mesohellenic trough (Greece)

Christopoulou, M. A., Koutsovitis, P., Kostoglou, N., Paraskevopoulou, C., Sideridis, A., Petrounias, P., Rogkala, A., Stock, S. & Koukouzas, N., 10 Mai 2022, in: Energies : open-access journal of related scientific research, technology development and studies in policy and management. 15.2022, 10, 25 S., 3491.

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Pinaceae Pine Resins (Black Pine, Shore Pine, Rosin, and Baltic Amber) as Natural Dielectrics for Low Operating Voltage, Hysteresis-Free, Organic Field Effect Transistors

Coppola, M. E., Petritz, A., Irimia, C. V., Yumusak, C., Mayr, F., Bednorz, M., Matković, A., Aslam, M. A., Saller, K., Schwarzinger, C., Ionita, M. D., Schiek, M., Smeds, A. I., Salinas, Y., Brüggemann, O., D'Orsi, R., Mattonai, M., Ribechini, E., Operamolla, A. & Teichert, C. &4 mehr, Xu, C., Stadlober, B., Sariciftci, N. S. & Irimia-Vladu, M., Sept. 2023, in: Global challenges. 7.2023, 9, 34 S., 2300062.

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Optical gain performance of epitaxially grown para-sexiphenyl films

Cordella, F., Quochi, F., Saba, M., Andreev, A., Sitter, H., Sariciftci, N. S., Mura, A. & Bongiovanni, G., 2007, in: Advanced materials. 19, S. 2252-2256

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ENERGY-LEVEL OF THE 0 TO + CHARGE TRANSITION OF SUBSTITUTIONAL MANGANESE IN SILICON

Czaputa, R., Feichtinger, H., Oswald, J., Sitter, H. & Haider, M., 1985, in: Physical review letters. 55, S. 758-760

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ENERGY-LEVELS OF INTERSTITIAL MANGANESE IN SILICON

Czaputa, R., Feichtinger, H. & Oswald, J., 1983, in: Solid state communications. 47, S. 223-226

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